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位于牺牲层下方的硅底板也需进行蚀刻处理

发布时间:2018-10-02 15:31 来源:未知 编辑:admin

  据引见,此次开辟的工艺在传感器部门的薄膜中利用了SiO2(二氧化硅)层,在出产过程中支持薄膜的牺牲层中利用了金属层,在检测压力的传感器压电电阻中利用了多晶硅。全数均可采用台积电双层多晶硅四层金属的CMOS工艺构成。在SiO2层的一部门中切出孔,并构成过孔,然后就能操纵后续的蚀刻工艺去除牺牲层和过孔金属。薄膜压力传感器原理牺牲层去除后,位于牺牲层下方的硅底板也需进行蚀刻处置,以使压电电阻部门能除压力而变化。金属和硅底板的蚀刻采用的是通俗蚀刻材料。

  台湾淡江大学机械与电机工程系日前开辟成功出尺寸为50μm×50μm的小型压力传感器芯片。通过对压力传感器部门的薄膜构成手法进行改良,实现了小型化。同时还利用明胶对传感器部门进行了封装。薄膜压力传感器原理这种压力传感器可用于生物相关范畴。

  封锁带孔薄膜的工艺利用的是分歧于CMOS的其他工艺。具体来说,就是从切孔中填入卵白质明胶,将薄膜的下部空间填充上。只需操纵旋涂法涂布液态明胶即可。通过填充明胶,可以或许解除外部情况的干扰。压力活络度为8.56±0.13mv/V/psi,高于过去的压电电阻型压力传感器。

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